유에스비 어딨니?

본 포스팅은 과제로 작성했던 내용이며(후기 및 참고문헌은 삭제), 수정 및 배포는 자유입니다. 하지만 과제로 그대로 제출하는것은 불허하오니, 그 과정에대한 내용을 본인이 알고있는 내용을 더 추가해서 제출하시는 것은 상관이 없습니다.(스스로 한 번 보신 후 사용을 해주세요) 밤 늦은 과제 작성으로인해 혹여나 잘못된 내용이 있을 수 있으며, 블로그로 복붙과정에서 사진은 일일이 편집기로 집어넣어야해서 사진의 순서가 One Figure 정도 차이가 날 수도 있습니다. 그 내용에 대해서 수정해야할 또는 추가해 주실 내용에 대해서는 댓글을 달아주시면 수정하겠습니다. 감사합니다.--------------------------------------------------------------- 반도체 공정 과정 I. 목..

MEMS 공정을 이용하여, Microfluidics를 이용한 Gradient Generator를 만드는 과정을 살펴보겠습니다. 이 게시물은 그중 1번째 게시물입니다. 우선 Gradient Generator가 무엇인지에 대해서 알아보겠습니다. Gradient Generator란 용어를 구글 이미지에서 찾아보면 다음과 같은 결과를 보여줍니다. 즉, 다양한 색을 선택할 수 있다는 것을 대략 알 수가 있습니다. 그렇다면 Microfluidics(미소유체)에서 이러한 Gradient Generator는 무엇을 나타내는 것일까요? 연구소에서 어떠한 성분의 액체를 가지고 실험을 한다고 가정하였을 때, 과학자는 그 새로운 물질을 만들기 위해서라던지 이러저러한 이유로 다양한 농도의 실험 샘플이 필요할 수가 있습니다. 하..

반도체 공정내에서 Photo Resist 즉 PR은 Positive PR을 많이 쓰고있습니다. 그이유는 다음의 게시물에서 설명하였습니다. [반도체] - Photo Resist(PR) 그렇다면 Negative PR은 반도체 공정내에서 잘 사용하지 않고있다면, 어느 부분에서 많이 사용하고 있을까요? 바로 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 분야에서 주로 사용되고 있습니다. 이번 게시물에서는 MEMS 과정중 사용되는 Negative PR( 그중에서 SU-8 )을 살펴보겠습니다. Negative PR(SU-8)의 모습입니다. 병에 담겨져있습니다. 이제 4인치의 Wafer 위에 Negative PR을 부어보겠습니다. 끈적임이 보이시나요? Negative PR은 Positive P..

Photo Resist 는 앞으로 알아볼 Photolithography(사진공정)에서 나올 내용이므로 미리 알아보겠습니다. 우선 단어의 뜯을 알아보겠습니다. 네이버 사전을 검색하면 각각 다음과 같은 뜻을 가지고있는 것을 볼 수 있습니다. photo는 '빛'과 관계됨을 resist는 저항하다라는 뜻을 가지고있습니다. 따라서 간단히 직역을 해보면 빛을 저항하다라고 볼 수 있습니다. 그럼 PhotoResist(PR)가 Photolithography(사진공정)에서 어떠한 형식으로 사용이 되는지 알아보겠습니다. 우선 PR의 역활에 대해서 간단하게 보겠습니다. Photolithography(사진공정)에서 말그대로 사진을 찍기 위해서는 사진을 찍을 판이 존재해야합니다. PR은 이러한 판 역활을 해준다고 생각하시면 편..

[반도체공정] Oxidation(산화) (1)[반도체공정] Oxidation(산화) (2) 에 이어서 앞서 알아보았던 Oxidation을 하는 실제 과정을 알아보겠습니다. 우선 Oxidation에 사용되는 장비의 이름은 Furnace라 합니다. 이러한 Furnace의 종류에는 Vertical furnace와 Horizontal furnace가 있습니다. 장비가 상당히 크기때문에 많은 자리를 차지하게 됩니다. 따라서 회사같은 주요시설에는 자동화, 면적 최소화등을 위해 Vertical furnace를 사용합니다. 살펴볼 furnace는 horizontal furnace(수평 퍼니스)입니다. 세로 방향에서 본 furnace의 모습입니다. 저 끝의 벽같은 곳을넘어 쭉 horizontal furnace가 계속됩니..

[반도체공정] Oxidation(산화) (1)[반도체공정] Oxidation(산화) (2) 앞서 공기중 노출된 웨이퍼(Wafer)는 Native Oxidation이 일어나 1n 정도의 얇은 산화막이 자연적으로 만들어지게 된다고 알아보았습니다. 하지만 이러한 Native Oxide를 없애기위한 용도와 기존의 Wafer를 깔끔한 상태에서 Oxidation을 진행하기위해서 Cleaning 작업을 거치게됩니다. 1) SPM Cleaning 이 Cleanign은 유기물(Organic)과 메탈(Metallic)을 제거해주기위해 합니다. (a) H2SO4 : H2O2 = 4:1 에 120도로 600초간 넣어줍니다. (b) DI water(순수 물) 로 360초 동안 씻어줍니다. (옮기는 과정 이물질 제거 및 화학 약..

지난번에 Oxidation 공정에서의 변수들에 대해서 살펴보았습니다. [반도체공정] Oxidation(산화) (1) 에 이어서Oxidation에 대한 내용을 살펴보겠습니다. 1) Native Oxide(자연 산화막) 우선 앞의 포스트에서도 알아보았지만 Oxidation은 Si와 O2가 만나 생성이됩니다. 따라서 앞서 알아본 Wet 또는 Dry Oxidation의 과정을 거치지 않아도 공중에있는 산소와 미세한 반응을 일으켜 SiO2를 생성하게됩니다. Wafer를 외부에 놔둘경우 시간이 흐르면서 1n 정도의 SiO2가 생성된다고 합니다. 따라서 실제 Oxidation 공정시에는 이러한 Native Oxide를 제거해주기 위함과 Wafer(웨이퍼) 표면을 세척하기위해서 Cleaning 공정을 우선적으로 거치게..

반도체 공정에서의 산화(Oxidation)를 간단히 정리하면 다음과 같습니다.반도체 공정에서 실리콘(Si) 기판에 산화제(O2, H2O)와 열 에너지를 공급하여 절연막 등 다양한 용도로 사용되는 SiO2 막을 형성하는 공정이다. 따라서 산화막은 Si가 산화제와 반응을 해야지 생성이 되게됩니다. 그럼 초기 반응을 보겠습니다. 다음과 같은 절차로 산화막인 SiO2가 생성되게됩니다. 이때 확실한 것은 초반에 산화제가 투입될 때에는 Si와 직접적으로 마주치므로 산화막의 생성이 빠르게 진행될 것입니다. 하지만 잠시 생각을 해보면 SiO2가 생성되기 시작하면 산화제는 직접 Si와 만나기가 어려워지므로 점점 SiO2의 생성이 어려워지게 될 것입니다. 따라서 후반에는 두께가 있으니 Diffusion(확산)에 의해서 산..

방학 때, 무언가 보람찬 일을 하고싶기도하고 앞으로도 많이 남을것 같다는 생각이들어 서울대학교 반도체공동연구소에서 진행하는 공정실습을 신청하였습니다. 우선 제가 신청한 회차는 마감이 되었으며 다음 회차는 아래의 다음의 주소에서 확인하실 수 있습니다. http://isrc.snu.ac.kr/ (들어가셔서 위의 메뉴중 교육안내를 누르시면 됩니다.) 우선 제가 신청한 회차는 다음과 같았습니다.8월(이론) 8.9-8.11 (262회 실습) 8.14-8.18 (263회 실습) 8.21-8.24접수: 7.24-7.31 이론 : 8월 9일 ~ 11일 실습 : 8월 14일 ~ 18일을 신청하였습니다. 접수기간이 24일 부터 31일 이라고 되어있지만, 접수는 당일날 마감되었습니다. 이번 회차에서 신청하신 분들의 수입니다..

앞서 웨이퍼란 무엇인가? (잉곳 생성) 과 웨이퍼란 무엇인가? (잉곳 절단) 에 대해서 알아보았습니다. 이제까지의 과정을 통해 웨이퍼와 비슷하게 얇은 판하나가 만들어 진것입니다. 하지만 사진과 이미 알고계셨을 웨이퍼는 번쩍번쩍한 모습을 보여주고 있습니다. 따라서 이번 과정을 통해서 진짜 웨이퍼처럼 만들어지게 됩니다. 웨이퍼의 표면 연마 이제까지의 과정을 통해 만들어진 웨이퍼는 표면이 아주 거칠고(톱으로 쑥 잘라내어서) 울퉁불퉁한 흠결이 많기 때문에 실제 반도체 공정에 이용할 수 없습니다.(그러한 손상은 소자에 해로운 영향을 미칠 수도 있기 때문입니다.) 또한 울퉁불퉁하면 여러 공정에서 문제가 일어날 수 있지만 특히 포토공정(PhotoLithography)에서 이미지를 선명하게 wafer의 표면에 낼수 없..