[MEMS]Negative PR

 반도체 공정내에서 Photo Resist 즉 PR은 Positive PR을 많이 쓰고있습니다. 그이유는 다음의 게시물에서 설명하였습니다.

[반도체] - Photo Resist(PR)

 그렇다면 Negative PR은 반도체 공정내에서 잘 사용하지 않고있다면, 어느 부분에서 많이 사용하고 있을까요? 바로 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 분야에서 주로 사용되고 있습니다. 이번 게시물에서는 MEMS 과정중 사용되는 Negative PR( 그중에서 SU-8 )을 살펴보겠습니다.

 

 Negative PR(SU-8)의 모습입니다. 병에 담겨져있습니다. 이제 4인치의 Wafer 위에 Negative PR을 부어보겠습니다.

 끈적임이 보이시나요? Negative PR은 Positive PR과는 다르게 빛을 받을 시, 단단해지기 때문에 Positive PR과는 다른 화학적 성분으로 끈적이는 것을 볼 수 있습니다. 참, 그전에 Positive PR 같은 경우는 위에서 살펴보았던 다음의 게시물에서 볼 수 있는 것처럼 (Photo Resist(PR)) Spin Coating을 하기전 바로 부어서 사용할 수 있습니다. 하지만 Negative PR의 경우에는 점성이 크기때문에 저렇게 바로 올리고 Spin Coating을 진행 해버리면, 골고루 퍼지지가 않고 한 쪽 방향으로만 퍼질 가능성이 커집니다. 따라서 다음과 같이 펼쳐준뒤 Spin Coating 과정을 진행하게 됩니다.

 Wafer를 손으로 잡고 요리저리 돌려가면서 SU-8을 펼쳐주었습니다. 이후 다음과 같이 Spin Coating 과정을 거치게됩니다.

 Wafer를 올려주고 Spin을 하여 SU-8을 Coating하여 줍니다. 이때, 주변에 은박지들을 보실 수 있는데요. Spin Coating을 진행하면, Negative PR이 주변에 튀게되므로 점성이 높은 Negative PR을 간편하게 처리하기 위해서 호일로 주변을 감싸주었습니다.

 Coating이 끝난뒤의 모습입니다. 깔끔하게 된것 같지는 않지만 PDMS를 이용한 구조물을 만들 용도로 사용할 계획이므로 조그마한 차이는 괜찮습니다.