유에스비 어딨니?

지난번에 Oxidation 공정에서의 변수들에 대해서 살펴보았습니다. [반도체공정] Oxidation(산화) (1) 에 이어서Oxidation에 대한 내용을 살펴보겠습니다. 1) Native Oxide(자연 산화막) 우선 앞의 포스트에서도 알아보았지만 Oxidation은 Si와 O2가 만나 생성이됩니다. 따라서 앞서 알아본 Wet 또는 Dry Oxidation의 과정을 거치지 않아도 공중에있는 산소와 미세한 반응을 일으켜 SiO2를 생성하게됩니다. Wafer를 외부에 놔둘경우 시간이 흐르면서 1n 정도의 SiO2가 생성된다고 합니다. 따라서 실제 Oxidation 공정시에는 이러한 Native Oxide를 제거해주기 위함과 Wafer(웨이퍼) 표면을 세척하기위해서 Cleaning 공정을 우선적으로 거치게..