유에스비 어딨니?

지난번에 Oxidation 공정에서의 변수들에 대해서 살펴보았습니다. [반도체공정] Oxidation(산화) (1) 에 이어서Oxidation에 대한 내용을 살펴보겠습니다. 1) Native Oxide(자연 산화막) 우선 앞의 포스트에서도 알아보았지만 Oxidation은 Si와 O2가 만나 생성이됩니다. 따라서 앞서 알아본 Wet 또는 Dry Oxidation의 과정을 거치지 않아도 공중에있는 산소와 미세한 반응을 일으켜 SiO2를 생성하게됩니다. Wafer를 외부에 놔둘경우 시간이 흐르면서 1n 정도의 SiO2가 생성된다고 합니다. 따라서 실제 Oxidation 공정시에는 이러한 Native Oxide를 제거해주기 위함과 Wafer(웨이퍼) 표면을 세척하기위해서 Cleaning 공정을 우선적으로 거치게..

반도체 공정에서의 산화(Oxidation)를 간단히 정리하면 다음과 같습니다.반도체 공정에서 실리콘(Si) 기판에 산화제(O2, H2O)와 열 에너지를 공급하여 절연막 등 다양한 용도로 사용되는 SiO2 막을 형성하는 공정이다. 따라서 산화막은 Si가 산화제와 반응을 해야지 생성이 되게됩니다. 그럼 초기 반응을 보겠습니다. 다음과 같은 절차로 산화막인 SiO2가 생성되게됩니다. 이때 확실한 것은 초반에 산화제가 투입될 때에는 Si와 직접적으로 마주치므로 산화막의 생성이 빠르게 진행될 것입니다. 하지만 잠시 생각을 해보면 SiO2가 생성되기 시작하면 산화제는 직접 Si와 만나기가 어려워지므로 점점 SiO2의 생성이 어려워지게 될 것입니다. 따라서 후반에는 두께가 있으니 Diffusion(확산)에 의해서 산..