유에스비 어딨니?

반도체 공정에서의 산화(Oxidation)를 간단히 정리하면 다음과 같습니다.반도체 공정에서 실리콘(Si) 기판에 산화제(O2, H2O)와 열 에너지를 공급하여 절연막 등 다양한 용도로 사용되는 SiO2 막을 형성하는 공정이다. 따라서 산화막은 Si가 산화제와 반응을 해야지 생성이 되게됩니다. 그럼 초기 반응을 보겠습니다. 다음과 같은 절차로 산화막인 SiO2가 생성되게됩니다. 이때 확실한 것은 초반에 산화제가 투입될 때에는 Si와 직접적으로 마주치므로 산화막의 생성이 빠르게 진행될 것입니다. 하지만 잠시 생각을 해보면 SiO2가 생성되기 시작하면 산화제는 직접 Si와 만나기가 어려워지므로 점점 SiO2의 생성이 어려워지게 될 것입니다. 따라서 후반에는 두께가 있으니 Diffusion(확산)에 의해서 산..